在電源管理領(lǐng)域，高效、可靠的功率器件是提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合SGT屏蔽柵技術(shù)，推出全新N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列產(chǎn)品，其中MDDG10R08G采用PDFN5*6-8L封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，以其卓越的開(kāi)關(guān)性能與低導(dǎo)通電阻，成為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇。
一、核心性能
1. 低導(dǎo)通電阻，高效節(jié)能
在VGS=10V、ID=35A條件下，最大導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為8mΩ（典型值6mΩ），顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
支持4.5V低柵極驅(qū)動(dòng)電壓（Max RDS(on)=11mΩ@30A），適配低壓控制場(chǎng)景。
2. 快速開(kāi)關(guān)與低反向恢復(fù)電荷
優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能：開(kāi)啟延遲時(shí)間11ns，關(guān)斷延遲時(shí)間33ns，適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)需求。
超低反向恢復(fù)電荷（Qrr=71nC）和軟恢復(fù)特性，減少開(kāi)關(guān)噪聲，提升EMC表現(xiàn)。
3. 高可靠性設(shè)計(jì)
100V耐壓設(shè)計(jì)，支持75A連續(xù)電流與240A脈沖電流，滿(mǎn)足嚴(yán)苛負(fù)載條件。
產(chǎn)品100% 通過(guò)UIS（無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān)）測(cè)試，單脈沖雪崩能量（Eas）達(dá)130mJ，確保抗沖擊能力。
工作溫度范圍-55°C至+150°C，適應(yīng)工業(yè)級(jí)環(huán)境。
二、電性曲線圖
三、典型應(yīng)用場(chǎng)景
1. 快充與電源適配器
適用于AC/DC同步整流電路，低導(dǎo)通損耗與快速開(kāi)關(guān)特性可顯著提升充電效率，減少發(fā)熱。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與UPS系統(tǒng)
高電流承載能力與抗雪崩特性，保障電機(jī)啟停和突發(fā)負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 光伏微逆變與電池管理
低柵極驅(qū)動(dòng)電壓需求適配太陽(yáng)能MPPT控制，高效能量轉(zhuǎn)換；在BMS中實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)充放電管理。
四、選型推薦
|
Part Number |
Type |
BVDSS(V) |
ID (A) |
VGS (V) |
ESD |
RDS(ON) (mΩ) VGS=10V |
RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V |
RDS(ON) (mΩ) VGS=2.5V |
VGS(th) (V) |
Package |
||||
|
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
Typ. |
Max. |
Min. |
Max. |
|||||||
|
MDDG10R08P |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
TO-220C-3L |
|
MDDG10R08G |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
PDFN5*6-8L |
|
MDDG10R08D |
N |
100 |
70 |
±20 |
N |
7 |
8 |
8 |
10 |
一 |
一 |
1 |
2.5 |
TO-252 |
|
MDDG10R20D |
N |
100 |
30 |
±20 |
N |
13.8 |
20 |
17.4 |
26 |
一 |
一 |
1.4 |
2.5 |
TO-252 |
|
MDDG10R04P |
N |
100 |
130 |
±20 |
N |
3.2 |
4.4 |
一 |
一 |
一 |
一 |
2 |
4 |
TO-220C-3L |
除了MDDG10xx系列，MDD還新推出一系列低壓大電流系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，提供多封裝如Toll、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以滿(mǎn)足各行業(yè)匹配需求。
