一、技術突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設計
MDDG03R01G在柵源電壓VGS=10V、漏極電流ID=50A的條件下，其最大導通電阻RDS(on)僅為1.0mΩ。如此低的導通電阻，能夠有效降低器件在工作過程中的功率損耗，提高系統的整體效率。
此外，該產品具備極低的反向恢復電荷Qrr，這一特性對于提高開關頻率、降低開關損耗至關重要，有助于實現更高效的電源轉換和更快速的信號處理。
同時，MDDG03R01G通過了100%UIS測試，確保了產品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS標準，滿足環保要求。
1.導通與動態特性
低壓驅動兼容性：在VGS=4.5V,ID=30A時最大導通電阻仍保持1.6mΩ水準，適配低壓控制電路。
低柵極電荷（Qg=61nC）：減少開關損耗，支持高頻應用（如400kHz LLC拓撲）。
快速開關響應：開啟延遲（td(on)）僅10ns。關斷延遲（td(off)）71ns
超強電流承載：300A持續電流（Tc=25℃），1200A脈沖電流，滿足嚴苛負載需求。
2、工業級可靠性
100%UIS測試：單脈沖雪崩能量EAS達到430.5mJ(VDD=24V,L=0.5mH,IAS=41.5A)時，保障感性負載安全性。
寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應極端環境。
三、電性曲線圖
1.專為ATX/服務器/電信電源的同步整流而生
0.75mΩRDS(on)：其低導通電阻和高開關性能能夠顯著提升電源的轉換效率，降低發熱，延長設備的使用壽命
低Qrr特性：優化LLC諧振拓撲效率，滿載效率提升1.5%
2.工業電機驅動與UPS
300A持續電流：支持伺服電機、AGV小車瞬間啟停，耐受1200A脈沖沖擊。
軟恢復體二極管：反向恢復時間（trr）82ns，降低EMI干擾。
3.高功率DC-DC轉換器
高頻開關能力：開啟延遲10ns，關斷延遲71ns，適配Buck/Boost拓撲。實現高效的電壓轉換，滿足不同負載對電源的需求。
PDFN5×6-8L封裝：底部散熱焊盤設計，通過大面積銅箔降低熱阻。
除此之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景，推出不同的型號，以滿足各行業匹配需求。
